| 規(guī) 格：HS-phys-SimPLe |
型 號(hào)：HS-phys-SimPLe |
數(shù) 量：1 |
| 品 牌：合能陽(yáng)光 |
包 裝：運(yùn)輸標(biāo)準(zhǔn) |
價(jià) 格：面議 |
HS-phys-SimPLe半導(dǎo)體晶片內(nèi)部缺陷檢測(cè)系統(tǒng)是專門(mén)用于包括單晶硅、碳化硅、藍(lán)寶石等半導(dǎo)體晶片及晶環(huán)生產(chǎn)過(guò)程中以極高的分辨率探測(cè)晶片和晶環(huán)的內(nèi)部滑移線、內(nèi)部隱裂等內(nèi)部缺陷檢測(cè)的儀器 檢測(cè)原理是：HS-Phys-SimPLe系統(tǒng)是一種高分辨率光致發(fā)光（PL）掃描映射系統(tǒng)，用于表征直徑高達(dá)400mm的半導(dǎo)體晶片。使用專門(mén)設(shè)計(jì)的高強(qiáng)度激光源來(lái)激發(fā)半導(dǎo)體材料中的少子載流子。 三種類(lèi)型復(fù)合載體：SRH（Shockley-Read-Hall）深能級(jí)復(fù)合，Auger俄歇復(fù)合和Radiative輻射復(fù)合。在較低注入水平下，Auger俄歇復(fù)合可以忽略不計(jì)，因此“清潔”區(qū)域由輻射控制，而污染區(qū)域主要由SRH深能級(jí)復(fù)合控制。由于結(jié)晶滑移缺陷就像溶解污染的吸雜點(diǎn)，具有較低的輻射發(fā)射。因此可以通過(guò)PL技術(shù)將其可視化。
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