KRI 霍爾離子源 eH 3000
上海伯東代理美國原裝進口 KRI 霍爾離子源 eH 3000 適合大型真空系統(tǒng), 與友廠大功率離子源對比, eH 3000 是目前市場上高效, 提供更高離子束流的離子源.
尺寸: 直徑= 9.7“ 高= 6”
放電電壓 / 電流: 50-300V / 20A
操作氣體: Ar, Xe, Kr, O2, N2, 有機前體
KRI 霍爾離子源 eH 3000 特性
• 水冷 - 加速冷卻
• 可拆卸陽極組件 - 易于維護; 維護時,大限度地減少停機時間; 即插即用備用陽極
• 寬波束高放電電流 - 高電流密度; 均勻的蝕刻率; 刻蝕效率高; 高離子輔助鍍膜 IAD 效率
• 多用途 - 適用于 Load lock / 超高真空系統(tǒng); 安裝方便
• 等離子轉(zhuǎn)換和穩(wěn)定的功率控制
KRI 霍爾離子源 eH 3000 技術(shù)參數(shù)
型號 | eH3000 / eH3000L / eH3000M / eH3000LE |
供電 | DC magnetic confinement |
- 電壓 | 50-250V VDC |
- 離子源直徑 | ~ 7 cm |
- 陽極結(jié)構(gòu) | 模塊化 |
電源控制 | eHx-25020A |
配置 | - |
- 陰極中和器 | Filament, Sidewinder Filament or Hollow Cathode |
- 離子束發(fā)散角度 | > 45° (hwhm) |
- 陽極 | 標(biāo)準(zhǔn)或 Grooved |
- 水冷 | 前板水冷 |
- 底座 | 移動或快接法蘭 |
- 高度 | 4.0 |
- 直徑 | 5.7 |
- 加工材料 | 金屬 |
- 工藝氣體 | Ar, Xe, Kr, O2, N2, Organic Precursors |
- 安裝距離 | 16-45” |
- 自動控制 | 控制4種氣體 |
* 可選: 可調(diào)角度的支架;
KRI 霍爾離子源 eH 3000 應(yīng)用領(lǐng)域
濺鍍和蒸發(fā)鍍膜 PC
輔助鍍膜 ( 光學(xué)鍍膜 ) IBAD
表面改性, 激活 SM
直接沉積 DD
1978 年 Dr. Kaufman 博士在美國創(chuàng)立 Kaufman & Robinson, Inc 公司, 研發(fā)生產(chǎn)考夫曼離子源, 霍爾離子源和射頻離子源. 美國考夫曼離子源歷經(jīng) 40 年改良及發(fā)展已取得多項專利. 離子源廣泛用于離子清洗 PC, 離子蝕刻 IBE, 輔助鍍膜 IBAD, 離子濺射鍍膜 IBSD 領(lǐng)域, 上海伯東是美國考夫曼離子源中國總代理.
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