WD4000無圖晶圓幾何量測系統自動測量 Wafer 厚度 、表面粗糙度 、三維形貌 、單層膜厚 、多層膜厚 。使用光譜共焦對射技術測量晶圓 Thickness 、TTV 、LTV 、BOW 、WARP 、TIR 、SORI 等參數， 同時生成  Mapping  圖； 采用白光干涉測量技術對  Wafer  表面進行非接觸式掃描同時建立表面 3D 層析圖像， 顯示 2D  剖面圖和 3D  立體彩色視圖， 高效分析表面形貌 、粗糙度及相關  3D  參數； 基于白光干涉圖的 光譜分析儀， 通過數值七點相移算法計算， 達到亞納米分辨率測量表面的局部高度， 實現膜厚測量功能；  紅外傳感器發出的探測光在 Wafer不同表面反射并形成干涉， 由此計算出兩表面間的距離（即厚度）， 可 適用于測量 Bonding Wafer 的多層厚度 。該傳感器可用于測量不同材料的厚度， 包括碳化硅 、藍寶石 、氮化鎵 、硅等。

WD4000無圖晶圓幾何量測系統可廣泛應用于襯底制造 、 晶圓制造 、及封裝工藝檢測 、3C  電子玻璃 屏及其精密配件、光學加工 、顯示面板 、MEMS  器件等超精密加工行業 �？蓽y各類包括從光滑到粗糙 、低 反射率到高反射率的物體表面， 從納米到微米級別工件的厚度 、粗糙度 、平整度 、微觀幾何輪廓 、曲率等， 提供依據 SEMI/ISO/ASME/EUR/GBT  四大國內外標準共計  300  余種 2D 、3D 參數作為評價標準。

產品優勢

1、非接觸厚度 、三維維納形貌一體測量

集成厚度測量模組和三維形貌 、粗糙度測量模組， 使用一臺機器便可完成厚度 、TTV 、LTV、

BOW 、 WARP  、粗糙度 、及三維形貌的測量。

2、高精度厚度測量技術

采用高分辨率光譜共焦對射技術對  Wafer 進行高效掃描 。

搭配多自由度的靜電放電涂層真空吸盤， 晶圓規格大可支持至 12 寸 。

采 用  Mapping  跟隨技術， 可編程包含多點 、 線 、 面的自動測量 。

3、高精度三維形貌測量技術

采用光學白光干涉技術 、精密  Z  向掃描模塊和高精度 3D  重建算法，Z  向分辨率高可到  0. 1nm；

隔振設計降低地面振動和空氣聲波振動噪聲， 獲得高測量重復性 。

機器視覺技術檢測圖像  Mark  點， 虛擬夾具擺正樣品， 可對多點形貌進行自動化連續測量 。

4、大行程高速龍門結構平臺

大行程龍門結構  (400x400 x75mm)， 移動速度  500mm/s。

高精度花崗巖基座和橫梁， 整體結構穩定 、 可靠 。

關鍵運動機構采用高精度直線導軌導引 、AC  伺服直驅電機驅動， 搭配分辨率 0. 1μm   的光柵

系統， 保證設備的高精度 、 高效率 。

5、操作簡單 、輕松無憂

集 成  XYZ  三個方向位移調整功能的操縱手柄， 可快速完成載物臺平移 、 Z   向聚焦等測量前

準工作。

具備雙重防撞設計， 避免誤操作導致的物鏡與待測物因碰撞而發生的損壞情況 。

具備電動物鏡切換功能， 讓觀察變得快速和簡單 。

應用場景

1、無圖晶圓厚度、翹曲度的測量

通過非接觸測量，將晶圓上下面的三維形貌進行重建，強大的測量分析軟件穩定計算晶圓厚度、粗糙度、總體厚度變化(TTV),有效保護膜或圖案的晶片的完整性。

2、無圖晶圓粗糙度測量

Wafer減薄工序中粗磨和細磨后的硅片表面3D圖像，用表面粗糙度Sa數值大小及多次測量數值的穩定性來反饋加工質量。在生產車間強噪聲環境中測量的減薄硅片，細磨硅片粗糙度集中在5nm附近，以25次測量數據計算重復性為0.046987nm，測量穩定性良好。

懇請注意：因市場發展和產品開發的需要，本產品資料中有關內容可能會根據實際情況隨時更新或修改，恕不另行通知，不便之處敬請諒解。

部分技術規格

型號 WD4200

厚度和翹曲度測量系統

可測材料 砷化鎵 、氮化鎵 、磷化 鎵、鍺、磷化銦、鈮 酸 鋰 、藍寶石 、硅 、碳化 硅 、玻璃等

測量范圍

150μm~2000μm

測量參數 厚度、TTV(總體厚度變 化)  、LTV 、BOW、WARP  、平面度、線粗糙度

三維顯微形貌測量系統

測量原理 白光干涉

測量視場 0.96mm×0.96mm

可測樣品反射率

0.05%~

測量參數 顯微形貌 、線/面粗糙度、空間頻率等三大 類300余種參數

系統規格

晶圓尺寸 4"  、6"  、8"  、 12"

晶圓載臺 防靜電鏤空真空吸盤載臺

X/Y/Z工作臺行程

400mm/400mm/75mm

工作臺負載 ≤5kg

外形尺寸 1500× 1500×2000mm

總重量 約 2000kg