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半導體晶片內部缺陷檢測

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詳細信息半導體晶片內部缺陷檢測

檢測原理是:HS-Phys-SimPLe系統是一種高分辨率光致發光(PL掃描映射系統,用于表征直徑高達400mm的半導體晶片。使用專門設計的高強度激光源來激發半導體材料中的少子載流子。

 

三種類型復合載體:SRHShockley-Read-Hall)深能級復合,Auger俄歇復合和Radiative輻射復合。在較低注入水平下,Auger俄歇復合可以忽略不計,因此“清潔”區域由輻射控制,而污染區域主要由SRH深能級復合控制。由于結晶滑移缺陷就像溶解污染的吸雜點,具有較低的輻射發射。因此可以通過PL技術將其可視化。

 

 

產品特點

■ 直徑達400mm、厚度達30mm的晶片檢查

■ 60μm分辨率下的滑移線檢測

■ 更多波長可供選擇

■ 檢測速度12英寸-13分鐘,8英寸-5分鐘

■ 利用優化的波長和過濾進行PL滑移線檢查,可以發現制程中尚未發現的問題

■ 顯示更小的滑移線等內部缺陷。

■ 自動晶圓探測器

■ 自動參數設置

■ 即使在低信號采樣上也具有高分辨率和高對比度

半導體晶片內部缺陷檢測

聯系方式

北京合能陽光新能源技術有限公司

肖蘭

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