HS-NIR-SiRod單晶硅芯長棒紅外探傷測試儀是專門用于硅芯硅棒生產(chǎn)中的硅棒硅芯內(nèi)部的的裂縫、雜質(zhì)、黑點、陰影、微晶等缺陷探傷的儀器，可大幅提高硅芯生產(chǎn)過程中的效率和效益。

主要原理是：在特定光源和紅外探測器的協(xié)助下，我們的紅外探傷測試儀能夠穿透200mm深度的硅棒，純硅料幾乎不吸收這個波段的波長，但是如果硅塊里面有微粒、夾雜（通常為SiC）、隱裂，則這些雜質(zhì)將吸收紅外光，因此在成像系統(tǒng)中將呈現(xiàn)出來，而且這些圖像將通過我們的軟件自動生成三維模型圖像。

系統(tǒng)的基礎(chǔ)結(jié)構(gòu)由相同的輥動單元構(gòu)成。輥子裝置安全地固定鋼錠，并充當兩側(cè)軌道的基礎(chǔ)結(jié)構(gòu)，單晶硅芯長棒沿滾動支撐結(jié)構(gòu)鋪設(shè)。紅外測量單元在單晶長棒上方移動，同時旋轉(zhuǎn)單晶長棒。紅外測量是掃描式的，在固定電橋位置360度旋轉(zhuǎn)期間拍攝的圖像。測量單元移動到下一個測量位置，對于圓柱形物體，這種測量策略給出了準確的結(jié)果。

通常我們都是在硅棒線切割硅芯前進行紅外探傷，在線切割前進行紅外探傷不僅可以減少不合格硅芯，而且可以減少斷線，大大提高效益，這些夾雜都可以清晰地反映在我們的紅外探傷系統(tǒng)中。因此它是單晶硅芯生產(chǎn)中不可或缺的工具。

產(chǎn)品特點

■ 為硅芯勝場過程中的質(zhì)量控制提供了強大的監(jiān)測工具

■  測量單元可以沿著在軌道上滾動單晶硅芯長棒上移動

■ 檢測速度快，平均每個長超3米以上的硅棒檢測時間為不超過6分鐘（不含裝卸時間）

■ NIRVision®軟件能夠分析探傷結(jié)果，并且直接將結(jié)果轉(zhuǎn)換成三維模型圖像

■ 獨特的加強型內(nèi)插法為高分辨率的雜質(zhì)探傷功能提供了強大的技術(shù)保障

■ 采用歐洲數(shù)控工程鋁合金材料

■ 表面都采用了高強度漆面和電氧化工藝保護

■ 系統(tǒng)外框采用高質(zhì)量工業(yè)設(shè)計

■ 所有的部件的設(shè)計都達到了長期高強度使用及小維護量的要求

■ 能夠通過自動或手動旋轉(zhuǎn)對單晶長棒進行全面探傷。

■ 紅外光源通過交直流光源進行控制，光強可以通過軟件直接控制，同時它具有過熱保護功能

■ 同時軟件包含了雜質(zhì)圖像的管理分析功能

■ 穩(wěn)定性和耐用性俱佳。

■ 探傷測試面拋光處理效果佳，在線硅芯切割之前進行紅外探傷

■ 紅外成像光源受電阻率影響，硅塊電阻率越低，則對紅外光的吸收越多

■ 一般電阻率不能低于0.5Ohm*Cm,我們的電阻率在0.8Ohm*Cm以上

■ 系統(tǒng)的基礎(chǔ)結(jié)構(gòu)由相同的輥動單元構(gòu)成。輥子裝置安全地固定鋼錠，并充當兩側(cè)軌道的基礎(chǔ)結(jié)構(gòu)

■ 單晶硅芯長棒沿滾動支撐結(jié)構(gòu)鋪設(shè)。

■ 紅外測量單元在單晶長棒上方移動，同時旋轉(zhuǎn)單晶長棒。

■ 紅外測量是掃描式的，在固定電橋位置360度旋轉(zhuǎn)期間拍攝的圖像。

■ 測量單元移動到下一個測量位置，對于圓柱形物體，這種測量策略給出了準確的結(jié)果。

技術(shù)指標：

■ 主要探測指標：直徑200mm x 長度3500mm（可定制）隱裂，硬質(zhì)點等

■ 硅塊電阻率：≥0.8Ohm*Cm

■ 檢測時間：平均每個硅棒6分鐘（不含裝卸時間）

ü 一次掃描的表面為630mm（周長）x 200mm（攝像機視野）。

ü 全長350cm，可在17個位置捕獲（尾部，頭部消除）

ü 可在20秒內(nèi)獲得一次360度旋轉(zhuǎn)捕獲。完整測量時間可保持在6分鐘左右，不包括加載和卸載過程。